mos管场效应管在使用时要注意什么_mos场效应管应用

mos管主要参数及使用注意事项

1.选用合适mos管场效应管在使用时要注意什么的输入电压规格;

2.选择合适的功率 。为mos管场效应管在使用时要注意什么了使电源的寿命增长mos管场效应管在使用时要注意什么 ，建议选用多30%输出功率额定的机种
。例如若系统需要一个100W的电源
，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

3.考虑负载特性 。如果负载是马达、灯泡或电容性负载 ，当开机瞬间时电流较大
，应选用合适电源以免过载
。如果负载是马达时应考虑停机时电压倒灌。

4.此外尚需考虑电源的工作环境温度，及有无额外的辅助散热设备 ，在过高的环温电源需减额输出 。环温对输出功率的减额曲线

5.根据应用所需选择各项功能mos管场效应管在使用时要注意什么： 保护功能mos管场效应管在使用时要注意什么：过电压保护（OVP） 、过温度保护（OAH ）
、过负载保护（OLP）等。 应用功能：信号功能（供电正常、供电失效） 、遥控功能
、遥测功能、并联功能等
。 特殊功能 ： 功因矫正 （PFC）  、不断电 （UPS）

6.选择所需符合的安规及电磁兼容 （EMC） 认证。

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率
，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（AH M）控制IC和MOSFET构成 。随着电力电子技术的发展和创新 ，使得开关电源技术也在不断地创新
。

场效应管的使用注意事项

MOS场效应管

即金属-氧化物-半导体型场效应管mos管场效应管在使用时要注意什么
，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）mos管场效应管在使用时要注意什么，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层mos管场效应管在使用时要注意什么 ，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω） 。它也分N沟道管和P沟道管
，符号如图1所示
。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型 。所谓增强型是指mos管场效应管在使用时要注意什么：当VAH =0时管子是呈截止状态 ，加上正确的VAH 后
，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强 ”了该区域的载流子 ，形成导电沟道
。耗尽型则是指
，当VAH =0时即形成沟道，加上正确的VAH 时 ，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽
”了载流子
，使管子转向截止。

以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+ ，再分别引出源极S和漏极D 。源极与衬底在内部连通
，二者总保持等电位
。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极 ，源极接电源负极并使VAH =0时
，沟道电流（即漏极电流）ID=0 。随着VAH 逐渐升高，受栅极正电压的吸引 ，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子
，形成从漏极到源极的N型沟道，当VAH 大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时 ，N沟道管开始导通
，形成漏极电流ID。

国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1
、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）
。它们的管脚排列（底视图）见图2。

MOS场效应管比较“娇气” 。这是由于它的输入电阻很高 ，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电
，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏
。因此了厂时各管脚都绞合在一起 ，或装在金属箔内
，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时 ，全部引线也应短接 。在测量时应格外小心
，并采取相应的防静电感措施
。下面介绍检测方法。

1．准备工作

测量之前，先把人体对地短路后 ，才能摸触MOSFET的管脚 。最好在手腕上接一条导线与大地连通
，使人体与大地保持等电位
。再把管脚分开，然后拆掉导线。

2．判定电极

将万用表拨于R×100档 ，首先确定栅极 。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大
，证明此脚就是栅极G
。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧 ，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极
，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通 ，据此很容易确定S极 。

3．检查放大能力（跨导）

将G极悬空
，黑表笔接D极，红表笔接S极 ，然后用手指触摸G极
，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1 、G2
。为区分之，可用手分别触摸G1
、G2极 ，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管
，平时就不需要把各管脚短路了 。

VMOS场效应管

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管
。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W） 、驱动电流小（左右0.1μA左右） ，还具有耐压高（最高可耐压1200V）
、工作电流大（1.5a～100A）、输出功率高（1～250W） 、跨导的线性好
、开关速度快等优良特性 。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身
，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器 、开关电源和逆变器中正获得广泛应用
。

众所周知，传统的MOS场效应管的栅极
、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上 ，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一
，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性 。由于漏极是从芯片的背面引出 ，所以ID不是沿芯片水平流动
，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区 ，最后垂直向下到达漏极D
。电流方向如图中箭头所示
，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层 ，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管 。

国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂 、杭州电子管厂等
，典型产品有VN401、VN672
、VMAH 2等
。表1列出六种VMOS管的主要参数。其中，IRFPC50的外型如图3所示 。

下面介绍检测VMOS管的方法。

1．判定栅极G

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻
。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大 ，并且交换表笔后仍为无穷大
，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

2．判定源极S、漏极D

由图1可见 ，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正 、反向电阻存在差异
，可识别S极与D极 。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻 ，此时黑表笔的是S极
，红表笔接D极
。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）

将G-S极短路，选择万用表的R×1档 ，黑表笔接S极
，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同 ，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些 。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管
，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）
。

4．检查跨导

将万用表置于R×1k（或R×100）档 ，红表笔接S极
，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极 ，表针应有明显偏转，偏转愈大
，管子的跨导愈高。

注意事项：

（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管 。对于P沟道管 ，测量时应交换表笔的位置
。

（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管
，本检测方法中的1
、2项不再适用。

（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用 。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块 ，内部有N沟道 、P沟道管各三只
，构成三相桥式结构
。

（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管 ，其最高工作频率fp=120MHz
，IDSM=1A，PDM=30W ，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播
、通信设备中 。

（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例
，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W

场效应晶体管

场效应晶体管(FET)简称场效应管 ，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小 、功耗低
、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点
，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者
。

场效应管分结型 、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名 。目前在绝缘栅型场效应管中 ，应用最为广泛的是MOS场效应管
，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS
、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等
。

按沟道半导体材料的不同 ，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分
，场效应管又可分成耗尽型与增强型 。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的 ，也有增强型的
。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类 。见附图1
。

MOS场效应晶体管使用注意事项。

MOS场效应晶体管在使用时应注意分类
，不能随意互换 。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：

1. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中 ，切勿自行随便拿个塑料袋装
。也可用细铜线把各个引脚连接在一起
，或用锡纸包装

2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。

3. 焊接用的电烙铁必须良好接地 。

4. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接 ，再MOS器件焊接完成后在分开。

5. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极 、源极、栅极
。拆机时顺序相反。

6.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子
，再把电路板接上去 。

7. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管
。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。

场效应管的测试 。

下面以常用的3DJ型N沟道结型场效应管为例解释其测试方法：

3DJ型结型场效应管可看作一只NPN型的晶体三极管 ，栅极G对应基极b
，漏极D对应集电极c，源极S对应发射极e
。所以只要像测量晶体三极管那样测PN结的正
、反向电阻既可。把万用表拨在R*100挡用黑表笔接场效应管其中一个电极 ，红表笔分别接另外两极
，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是场效应管的栅极 。红表笔接的就是漏极或源极
。对结型场效应管而言 ，漏极和源极可以互换。对于有4个管脚的结型场效应管
，另外一极是屏蔽极（使用中接地） 。

目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如图2所示
。

场效应晶体管的好坏的判断。

先用MF10型万用表R*100KΩ挡（内置有15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G） ，正表笔（红）接源极（S） 。给栅、源极之间充电
，此时万用表指针有轻微偏转。再该用万用表R*1Ω挡，将负表笔接漏极（D） ，正表笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆
，则说明场效应管是好的
。

调试mos电路有哪些注意事项

什么是MOS管?它有什么注意事项?MOS管即MOSFETmos管场效应管在使用时要注意什么，中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。与普通的晶体三极管相比mos管场效应管在使用时要注意什么 ，具有以下四个优点
，即，输入阻抗高 、开关速度快
、热稳定性好、电压控制电流等 ，MOS管现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者 。

所有MOS集成电路(包括P沟道MOS
，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅 ，以防止电压击穿
。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm 、50nm
、80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻 —— 二极管网络进行保护
，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD) ，实验指出
，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效 。

按损伤的严重程度静电损害有多种形式 ，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端VDD GND短路或开路，器件完全丧失mos管场效应管在使用时要注意什么了原有的功能
。稍次一等严重的损害是出现断续的失效或者是性能的退化
，那就更难察觉。还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏 。

MOS管的定义

MOS管做为电压驱动大电流型器件，在电路尤其是动力系统中大量应用 ，MOS管有一些特性在实际应用中是我们应该特别注意的MOS管体二极管
，又称寄生二极管，在单个MOS管器件中有 ，在集成电路光刻中没有
，这个二极管在大电流驱动中和感性负载时可以起到反向保护和续流的作用，一般正向导通压降在0.7~1V左右
。

因为这个二极管的存在 ，MOS器件在电路中不能简单地看到一个开关的作用
，比如充电电路中，充电完成 ，移除电源后
，电池会反向向外部供电，这个通常是我们不愿意看到的结果。

一般解决的方法是在后面增加一个二极管来防止反向供电 ，这样虽然可以做到，但是二极管的特性决定必须有0.6~1V的正向压降
，在大电流的情况下发热严重，同时造成能源的浪费 ，使整机能效低下 。还有一个方法是再增加一个背靠背的MOS管
，利用MOS管低导通电阻来达到节能的目的，这一特性另一个常见的应用为低压同步整流
。

注意事项

MOS管导通后的无方向性 ，MOS在加压导通后
，就类似于一根导线，只具有电阻特性 ，无导通压降
，通常饱和导通电阻为几到几十毫欧，且无方向性 ，允许直流和交流电通过。

使用MOS管的注意事项

1)为了安全使用MOS管
，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值 。

2)各类型MOS管在使用时 ，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性。如结型MOS管栅源漏之间是PN结
，N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压，等等
。

3)MOS管由于输入阻抗极高 ，所以在运输 、贮藏中必须将引出脚短路
，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意 ，不能将MOS管放入塑料盒子内
，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮 。

关于mos管场效应管在使用时要注意什么和mos场效应管应用的介绍到此就结束了 ，不知道你从中找到你需要的信息了吗 ？如果你还想了解更多这方面的信息
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